大家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　学年是什么意思？应该怎样填，2022至2023学年是什么意思ong>美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显学年是什么意思？应该怎样填，2022至2023学年是什么意思示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国学年是什么意思？应该怎样填，2022至2023学年是什么意思内国(guó)产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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