大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市妆前乳是什么东西，妆前乳是啥东西场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储妆前乳是什么东西，妆前乳是啥东西、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 妆前乳是什么东西，妆前乳是啥东西