大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在一二大写字怎么写千，大写的壹贰叁到十(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)一二大写字怎么写千，大写的壹贰叁到十上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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