大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。<护舒宝液体卫生巾是什么黑科技，液体卫生巾的弊端/p>

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在护舒宝液体卫生巾是什么黑科技，液体卫生巾的弊端下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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