大家(jiā)好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōn100厘米等于多少分米，100厘米等于多少分米多少米g)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 100厘米等于多少分米，100厘米等于多少分米多少米海(hǎi)力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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