大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢拉普拉斯分块矩阵公式例题，拉普拉斯分块矩阵公式副对角线迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西拉普拉斯分块矩阵公式例题，拉普拉斯分块矩阵公式副对角线(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆拉普拉斯分块矩阵公式例题，拉普拉斯分块矩阵公式副对角线原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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