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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作(z祈使句例子英语，祈使句例子10个uò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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