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　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rénaj和耐克的区别是什么，aj和乔丹的区别是什么)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是aj和耐克的区别是什么，aj和乔丹的区别是什么26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品aj和耐克的区别是什么，aj和乔丹的区别是什么

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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