大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查(chá)在农场英语为什么用on不用at，在农场为什么用on the farm

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)在农场英语为什么用on不用at，在农场为什么用on the farm法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(在农场英语为什么用on不用at，在农场为什么用on the farmlìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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