大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查<磨刀霍霍向牛羊全诗，磨刀霍霍向牛羊是哪首诗上的/p>

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此磨刀霍霍向牛羊全诗，磨刀霍霍向牛羊是哪首诗上的次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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