绿茶通用站群绿茶通用站群

嬉水与戏水的意思,婷婷荷花鱼戏水的意思

嬉水与戏水的意思,婷婷荷花鱼戏水的意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售(shòu嬉水与戏水的意思,婷婷荷花鱼戏水的意思)的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

  据网信办消息,日前(qián),网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发(fā)现(xiàn),美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险,影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此,网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规,我国内关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查,目的(de)是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全,是维护国家安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放,只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半(bàn)导体突发(fā)!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日(rì),中(zhōng)国网信网发文称,为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全,防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险,维护国家安(ān)全,依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头,也是(shì)全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

  美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西嬉水与戏水的意思,婷婷荷花鱼戏水的意思部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约,确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩固(gù)公司在下游市场的供应优势,公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作嬉水与戏水的意思,婷婷荷花鱼戏水的意思

  有券商此前就(jiù)分析(xī),如果美光在中国区销售受到(dào)限制,或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60:1的深孔(kǒng),未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo),催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单,设备国产化进程加速,看(kàn)好拓荆(jīng)科技(薄(báo)膜沉积)等相关(guān)公司份额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

 

未经允许不得转载:绿茶通用站群 嬉水与戏水的意思,婷婷荷花鱼戏水的意思

评论

5+2=