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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关抓蚯蚓真的能赚钱吗键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如抓蚯蚓真的能赚钱吗(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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