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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)r在数学集合中是什么意思啊，r在数学集合中表示什么公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在r在数学集合中是什么意思啊，r在数学集合中表示什么下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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