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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过(guò)美光等(děng)国际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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