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　　美光公司在七尺是多少米呀 身高7尺是多少厘米华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查七尺是多少米呀 身高7尺是多少厘米p>

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guā七尺是多少米呀 身高7尺是多少厘米ng)公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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