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　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　关关难过关关过 事事难熬事事熬下一句是什么，关关难过关关过 事事难熬事事熬是什么诗A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产关关难过关关过 事事难熬事事熬下一句是什么，关关难过关关过 事事难熬事事熬是什么诗(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，关关难过关关过 事事难熬事事熬下一句是什么，关关难过关关过 事事难熬事事熬是什么诗催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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