大(dà)家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为虎眼石怎么辨别真假，虎眼石什么人不能戴此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 9虎眼石怎么辨别真假，虎眼石什么人不能戴4.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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