大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(直径26厘米等于多少寸，26厘米等于多少寸英寸yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器直径26厘米等于多少寸，26厘米等于多少寸英寸 24px;'>直径26厘米等于多少寸，26厘米等于多少寸英寸的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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