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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中(美女脱了个精光露出奶囗和尿囗zhōng)华人民(mín)共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn美女脱了个精光露出奶囗和尿囗)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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