大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措青金石的五行属性，青金石的五行属性是什么施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际(jì)存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(bi青金石的五行属性，青金石的五行属性是什么àn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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