大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美五的大写是什么光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存(cún)储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(r五的大写是什么ù)增长(zhǎng)。

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