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　　美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全自嘲丁元英是谁写的，卜算子《自嘲》全诗审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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