大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)先中间后两边的字有哪些 先外后内的字有哪些营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光先中间后两边的字有哪些 先外后内的字有哪些等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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