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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)圆与直线相切公式，圆的面积公式和周长公式>圆与直线相切公式，圆的面积公式和周长公式。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存圆与直线相切公式，圆的面积公式和周长公式(cún)储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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