大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(du千树万树梨花开的上一句是什么，千树万树梨花开的上一句是什么古诗ì)美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类(lè千树万树梨花开的上一句是什么，千树万树梨花开的上一句是什么古诗i)平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22千树万树梨花开的上一句是什么，千树万树梨花开的上一句是什么古诗.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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