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帧率是高好还是低好,王者帧率是高好还是低好

帧率是高好还是低好,王者帧率是高好还是低好 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息(xī)。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

  据网信办消息,日前,网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

  审查发现,美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患,对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险,影(yǐng)响我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此,网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规,我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

  此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá),目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán),是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发(fā)!中国(guó)出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  3月31日,中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称,为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全(quán),防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风(fēng)险,维护国家安(ān)全,依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国(guó)国家(jiā)安(ān)全(帧率是高好还是低好,王者帧率是高好还是低好quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》,网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体(tǐ)突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美(měi)光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头,也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降,至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿(yì)元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng帧率是高好还是低好,王者帧率是高好还是低好)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示,江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约,确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性,巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的(de)供应优势,公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

  有券商此前就分析(xī),如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制(zhì),或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分(fēn)析称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤,同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽,催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露,薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计为75%。自(zì)长江存储被加入美国限制名单,设备国产化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜(mó)沉积)等相关公司份额提升,以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科(kē)(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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