大(dà)家好(hǎo)，来看(kàn)一(yī)则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(p纯银手镯品牌排行榜前十名，中国纯银首饰十大品牌íng)对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络纯银手镯品牌排行榜前十名，中国纯银首饰十大品牌安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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