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北京市有几个区,北京市有几个区,都叫什么

北京市有几个区,北京市有几个区,都叫什么 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一(yī)则突发消息(xī)。

  美光公司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查

  据网信办消息,日前,网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审(shěn)查发现(xiàn),美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患,对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险,影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此,网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规,我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全(quán)审查,目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全,是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开放,只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú),欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文(wén)称,为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全(quán),防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险(xiǎn),维护国(guó)家(jiā)安全,依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》,网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu),也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头(tóu)之(zhī)一,2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在(zài)江波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下降,至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

<北京市有几个区,北京市有几个区,都叫什么p>  公(gōng)告显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng),采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势,公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

  有(yǒu)券商此前(qián)就分析,如果美光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制,或将导致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì),国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

  分(fēn)析称,长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露,薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国限制名单,设备国产化进程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄(báo)膜沉积)等相关公司(sī)份额提(tí)升,以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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