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韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔

韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

  审查发现,美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患,对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险,影响我国(guó)国家安全。为此,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法规,我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产(chǎn)品。

  此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全审查,目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安全,是维护国韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔家安(ān)全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对(duì韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔)外开放,只要遵守(shǒu)中国法律法规要求,欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

  半导体突(tū)发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称,为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安(ān)全,防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》,网络(luò)安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国(guó)出(chū)手(shǒu):停止采购!

  美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头,也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存(cún))市场份(fèn)额(é)约为 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中,江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公(gōng)告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约,确保存储晶圆供应的(de)稳定性,巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势,公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光在中国区销售(shòu)受到限制,或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称韩红个人简历和职位 韩红是什么军衔,长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽,催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75%。自(zì)长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名单,设备国产化进程加(jiā)速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公司(sī)份额提(tí)升(shēng),以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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