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妥帖还是妥贴,妥帖和妥帖哪个正确 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家(jiā)好,来看(kàn)一则突发(fā)消息。

  美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患,对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险,影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此,网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规,我国(guó)内关(guān)键信息基(jī)础设施的(de)运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

  此次对美(měi)光公司产品进行网络安全(quán)审查,目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)安全,是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求,欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)妥帖还是妥贴,妥帖和妥帖哪个正确平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文称,为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全(quán),防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险,维护国家安全,依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法》,网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》,对美(měi)光(guāng)公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

  半导(dǎo)体突发!中国(guó)出(chū)手:停止采(cǎi)购!

  美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存(cún))市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降,至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng),采购约妥帖还是妥贴,妥帖和妥帖哪个正确31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合(hé)约(yuē),确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前(qián)就分析(xī),如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制,或将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

  分析称(chēng),长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔(kǒng妥帖还是妥贴,妥帖和妥帖哪个正确),未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露,薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75%。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名(míng)单,设备国产化(huà)进程加速(sù),看好拓荆科技(jì)(薄膜(mó)沉积)等相关公司(sī)份(fèn)额提升,以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入增(zēng)长。

 

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