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韩国为何全民疯狂炒股,韩国为什么这么多人炒股

韩国为何全民疯狂炒股,韩国为什么这么多人炒股 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息(xī)。

  美光公司在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

  据(jù)网(wǎng)信办消息,日前(qián),网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查(chá)。

  审查发(fā)现,美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患,对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险,影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此,网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规,我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

  此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá),目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全(quán),是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng),只要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要求,欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  3月31日,中国(guó)网信网(wǎng)发文称,为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全,防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn),维(wéi)护国(guó)家安全(quán),依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安全(quán)法》,网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM (内存)市场份额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降,至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商韩国为何全民疯狂炒股,韩国为什么这么多人炒股(shāng)。

  公告(gào)显示韩国为何全民疯狂炒股,韩国为什么这么多人炒股(shì), 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示,江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性,巩固公司在(zài)下游市场的供应优势,公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制,或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称(chēng),长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài),2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽,催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为75%。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单,设备国(guó)产化进程加速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公司份额提升,以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等(děng)收入增长。

 

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