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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止泡泡面膜泡泡越多越脏吗，冒泡面膜是不是泡越多脸越脏采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审泡泡面膜泡泡越多越脏吗，冒泡面膜是不是泡越多脸越脏查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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