大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查三沙市有多少人口2022，目前三沙市有多少人口。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公(g三沙市有多少人口2022，目前三沙市有多少人口ōng)室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企(三沙市有多少人口2022，目前三沙市有多少人口qǐ)业、各类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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