大(dà)家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中解是多音字吗怎么读，解字是多音字都有什么音华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)解是多音字吗怎么读，解字是多音字都有什么音ong>

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。