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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必(bì女生摸你头发暗示什么，女生摸你的头发代表什么)要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)按照女生摸你头发暗示什么，女生摸你的头发代表什么《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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