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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全叮当镯一般是什么材质，叮当镯为什么那么便宜(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已叮当镯一般是什么材质，叮当镯为什么那么便宜经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确叮当镯一般是什么材质，叮当镯为什么那么便宜保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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